VS-GT100TP120N
Номер детали:
VS-GT100TP120N
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Описание:
IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Корпус INT-A-PAK (3 + 4)
- Поставщик Устройство Корпус INT-A-PAK
- Ток отсечки коллектора (макс.) 5 mA
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- IGBT Тип Trench
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 180 A
- Мощность - Максимальная 652 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A
- Входная емкость (Cies) при Vce 12.8 nF @ 30 V