BY25FQM1GESEIG(R)

BY25FQM1GESEIG(R)

Número de pieza: BY25FQM1GESEIG(R)
Clasificación de productos: Memoria
Fabricante: BYTe Semiconductor
Descripción: 1 GBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: USD
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Grado -
  • Calificación -
  • Tipo de Memoria Non-Volatile
  • Voltaje - Alimentación 2.7V ~ 3.6V
  • Formato de Memoria FLASH
  • Paquete / Carcasa 8-VDFN Exposed Pad
  • Tecnología FLASH - NOR
  • Tiempo de Acceso 7 ns
  • Frecuencia de Reloj 133 MHz
  • Tamaño de la Memoria 1Gbit
  • Organización de la Memoria 128M x 8
  • Interfaz de Memoria SPI - Quad I/O, QPI, DTR
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (6x8)
  • Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 150µs, 2.4ms