المواصفات
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 85°C (TA)
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف -
- التأهيل -
- واجهة الذاكرة Parallel
- نوع الذاكرة Non-Volatile
- تنسيق الذاكرة FLASH
- وقت الوصول 20 ns
- وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة 25ns
- الجهد - التغذية 1.7V ~ 1.95V
- حجم الذاكرة 4Gbit
- تنظيم الذاكرة 512M x 8
- المورد الجهاز الحزمة 63-VFBGA (9x11)
- الحزمة / العلبة 63-VFBGA
- تكنولوجيا FLASH - NAND (SLC)