IKW75N65ET7XKSA1
رقم القطعة:
IKW75N65ET7XKSA1
تصنيف المنتجات:
IGBTs الفردية
الشركة المصنعة:
Infineon Technologies
الوصف:
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
التغليف:
Tube
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 100 ns
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 80 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع النبضي (Icm) 225 A
- الطاقة - الحد الأقصى 333 W
- المورد الجهاز الحزمة PG-TO247-3
- شحنة البوابة 435 nC
- شرط الاختبار 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 75A
- طاقة التبديل 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 28ns/310ns